技术编号:9525626
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 由于铜能够提供的快速度,在半导体器件中将铜用作导电互连材料是有利的。通 过使用镶嵌处理技术形成铜互连结构,其中,在介电层中形成开口,在开口内沉积铜,然后 抛光/平坦化工艺用于去除介电层上方的铜,从而留下嵌入在开口内的铜。然而,铜扩散穿 过介电材料,所以铜互连结构必须由扩散阻挡层封装。否则介电层中的扩散的铜金属可能 导致互连结构之间的电流泄漏。扩散阻挡层通常包括耐热材料。用于阻挡层的典型的耐热 材料包括钽(Ta)、氮化钽(TaN)、钛(Ti)和氮化钛(Ti...
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