技术编号：9525716
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明 相关申请的夺叉引用 本申请要求2014年5月26日递交的美国临时申请No. 62/002,997的权益。 本发明总体涉及。本发明还涉及高度均匀量子点及在 半导体器件上生长量子点的方法。背景技术 量子点（QD)是非常细小的物质，小到使得高度凝聚于单一的点（S卩，零维）。因 此，量子点中的带电粒子（电子和空穴）被捕获或限制且它们的能级根据量子理论被完整 的定义。通常，量子点是纳米级的晶体，由数十个、数百个或数千个原子组成。量子点由半 导体、例如硅来制...
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