技术编号：9525731
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明相关申请的夺叉引用本申请是基于2014年6月25日提交的日本专利申请第2014-130358号且要求其优先权权益；该申请的全部内容通过引用并入本文中。本文中所描述的实施方案总体上涉及。背景技术使用氮化物半导体的半导体发光装置(例如发光二极管)用于显示装置、照明等。氮化物半导体还用于高速电子装置和电源装置。当在具有不同的晶格常数或热膨胀系数的衬底上形成氮化物半导体层时，衬底容易出现裂缝和弯曲。需要用于提高性能、减少弯曲、抑制裂缝和实现高生产率的技术。...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。