技术编号:9525767
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。电阻式非易失性存储器(RRAM)因具有功率消耗低、操作电压低、写入抹除时间短、耐久度长、记忆时间长、非破坏性读取、多状态记忆、元件制作工艺简单及可微缩性等优点,所以成为新兴非易失性存储器的主流。现有的电阻式非易失性存储器的基本结构为底电极、电阻转态层及顶电极构成的一金属-绝缘体-金属(metal-1nsulator-metal, MIM)叠层结构,且电阻式非易失性存储器的电阻转换(resistive switching,RS)阻值特性为元件的重要特性。然而...
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