技术编号：9525768
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在现代集成电路中，金属-绝缘体-金属(ΜΠ1)电容器结构的使用近年来已变得普遍。Μ頂电容器结构在一些实践中被用作电容元件；且在已经完成前段制程(FE0L)处理之后，在后段制程(BE0L)处理中形成。换言之，Μ頂电容器结构在位于半导体衬底上方的水平面中延伸的金属互连层中或上方形成，其中，有源器件已经形成在该半导体衬底中。然而，Μ頂电容器结构并不局限于电容器应用，而是还用于电阻式随机存取存储器(RRAM)器件。这些RRAM器件包括放置在顶部和底部RRAM电极之...
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