技术编号：9525770
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相变存储器是国际上公认的将取代闪存Flash成为主流的非挥发存储器，这缘于相变存储器优异的特性，例如高数据保持力、低功耗、高密度、高速度、循环寿命长及与当今的CMOS工艺兼容等。此外，采用不同的相变存储介质能调节相变存储器的存储性能，以适应不同严厉的工作环境。因此，相变存储器在下一代存储器中将占有重要一席，具有广阔的市场前景。相变存储器的原理是利用存储介质在电脉冲的作用下产生的焦耳热使存储介质在晶态(低阻)与非晶态(高阻)之间相互转化实现信息的写入和擦除，...
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