技术编号：9546288
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 在目前的半导体器件、光电子器件、微电子机械系统器件等微纳设备的制造过程 中，光刻工艺是其中最重要的技术之一。为了制备微纳孔径，目前主流的方法分为三种电 子束光刻、聚焦离子束光刻、光学光刻。 由于电子束光刻和聚焦离子束光刻需要在严格的真空环境下进行，若真空度无法 达到标准，尘埃在光学器件上的累积会导致所刻图案的畸变；设备昂贵，且光刻效率非常 低，不适合商业化的大批量生产。因此目前为止应用最为广泛的还是光学光刻。 传统的光学光刻是是以200nm~450nm的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。