技术编号：9548810
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 近几年，从电能的有效活用等观点出发，安装使用了SiC(碳化娃）、GaN(氮化嫁） 的元件的SiC/GaN功率半导体装置受到关注（例如，参照专利文献1。）。 运些元件与W往的使用了Si的元件相比，不仅能够大幅度降低电力损耗，即使在 更高电压或大电流、达到300°c的高溫下也能够进行动作。因此，期待SiC/GaN功率半导体 装置在W往的Si功率半导体装置中难W应用的用途中展开应用。 运样，使用SiC/GaN的元件（半导体元件）本身能够在上述那样苛刻的状况下进...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。