技术编号:9549013
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。根据对存储装置的高容量和低功耗的需求,正在对下一代存储装置进行研究。下一代存储装置需要具有动态随机存取存储器(DRAM)的高集成度特性、闪存的非易失性特性和静态RAM (SRAM)的高速度。作为下一代存储装置,相变RAM (PRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合物 RAM (PoRAM)、磁 RAM (MRAM)、铁电 RAM (FeRAM)和电阻式 RAM (RRAM)正备受关注。发明内容根据发明构思的一个方面,提供了一种操作存储系统的方法,所述存...
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