技术编号：9549436
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前，浅沟槽隔离技术已成为0.25um及以下工艺的主流隔离技术。现有的包括如下步骤首先，在硅衬底上生长二氧化硅垫层；然后，在二氧化硅垫层的表面沉积氮化硅层，氮化硅层作为后续化学机械抛光处理的停止层；接着，依次刻蚀氮化硅层、二氧化硅垫层及硅衬底，形成浅沟槽；随后，在浅沟槽的底部及侧壁生长二氧化硅衬层；然后，采用高密度等离子体化学气相沉积技术在浅沟槽内及氮化硅层表面沉积二氧化硅；接着，采用化学机械抛光技术对沉积的二氧化硅进行平坦化处理直至氮化硅层；最后，采用热...
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