技术编号：9549495
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。电容器的应用在集成电路设计中始终是一个杠杆，设计者希望使用电容值尽量大的电容器，但大电容值往往带来的就是增大芯片面积，提高制造成本。如何提高单位芯片面积上的电容值(即电容密度)，始终是集成电路领域的一个挑战。现有的电容器，大致可以分为前道电容器和后道电容器，前道电容器例如M0S电容器、PN结电容器，后道电容器例如MIM (金属层-绝缘层-金属层)电容器、Μ0Μ (金属层-氧化层-金属层)电容器。其中，MIM电容器可以提供较好的频率以及温度相关特性，并且可形...
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