技术编号：9549582
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及IGBT (Insulted Gate Bipolar Transistor，绝缘棚.双极型晶体管)，更为具体的说，涉及一种IGBT芯片及其制作方法。背景技术绝缘栅双极型晶体管具有通态压降低、电流容量大、输入阻抗高、响应速度快和控制简单等特点，被广泛应用于工业、信息、新能源、医学、交通等领域。参考图1所示，为现有的一种沟槽栅型IGBT芯片的结构示意图，现有的沟槽栅IGBT芯片的元胞中，由于需要在两个常规沟槽栅1之间形成源极区2和发射极金属电极3的...
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