技术编号：9549598
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在某些高压工艺中，需要在硅片衬底加高压，因此所有非高压器件都必须在N型深阱中，以免受到衬底高压的影响。这样将导致这类高压工艺中缺失具有低阈值电压的原生晶体管(Native Transistor)。在不增加额外光罩的前提下，也即兼容现有工艺和不造成额外的成本负担，如何来提供了一种相对于现有的晶体管结构呈现为完全新型的晶体管结构，从而足以降低该类高压工艺中晶体管的低阈值电压是一个很大的挑战。在通常情况下原生晶体管的阈值电压很低，某些情况下实质上接近0V并在零伏...
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