技术编号：9549616
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。多晶硅片由于存在多种取向的晶粒，一般采用各向同性酸腐蚀来制备绒面，降低表面反射率，但是该方法存在三个问题1)制绒后硅片表面反射率较高，反射率一般在20%以上，严重制约了多晶硅太阳电池的光电转换效率；2)制绒过程中反应溶液需要制冷到10°c以下，由于腐蚀反应为剧烈放热反应，因此该方法的能耗非常大；3)该制绒方法只适合采用砂浆切割法获得的多晶硅片，而采用金刚线切割获得多晶硅片是一种更经济和更环保的方法，势必取代传统的砂浆切割法，由于金刚线切割的多晶硅片表层切割...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。