技术编号:9550648
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力电子,具体地,涉及一种浪涌保护方法及电路、IGBT电路和加热器。背景技术IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘棚.双极型晶体管)是由双极型三极管BJT和绝缘栅型场效应管M0S组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有金氧半场效晶体管M0SFET的高输入阻抗和电力晶体管GTR的低导通压降两方面的优点。目前,IH(Indirect Heating,间接加热、旁热)电饭煲、电磁炉等,为防止浪涌电压损...
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