技术编号:9550651
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。碳化硅(SiC)器件作为近几年出现的新型功率器件,在高温、高频等方面有着不同于传统硅材料的优势。因而,这种新材料受到广泛的研究,并在工业冶金、医疗、交通、航空航天等方面有着广泛的应用。碳化硅MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)可以在800KHz以上的高频率下工作,通过多个碳化硅MOSFET的并联,可组成大功率高频逆变器。硅MOSFET同碳化硅MOSFET相比,开关损耗和导通损耗大,耐压低,在800KHz以上应用,所需驱动功率大,尤其是器件并联工作...
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