技术编号:9552200
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体制造工业的发展,大规模集成电路对光刻的要求越来越高。因此,集成电路工艺所用的光源要求的波长逐渐减小,从最早的可见光过渡到紫外、远紫外,直到下一代光刻的极端远紫外光,即极紫外光(EUV)。现阶段用于光刻的13.5nm波段的极紫外光源有三种,电子同步辐射光源(ECR)、激光等离子光源(LPP)和放电等离子体光源(DPP)。激光等离子体(LPP)以及放电等离子体(DPP)发展而来的激光诱导放电等离子体(LDP)都需要激光和金属靶材作用产生等离子体。在已...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。