技术编号:9553359
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。氮化镓(GaN)半导体器件,因为它们携带大电流和支持高电压的能力对于半导体器器件越来越可取。这些器件的发展已普遍针对高功率/高频应用。制造用于这些类型应用的设备是基于一般器件结构,其呈现高电子迀移率,以及被不同地称为异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迀移率晶体管(HEMT)或调制掺杂场效应晶体管(M0DFET)。氮化镓(GaN)异质结场效应晶体管器件(HFET)包括具有至少两个氮化物层的氮化物半导体。形成在半导体或缓冲层上的不同材料导致所述层具有不同的...
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