技术编号:9553387
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及半导体功率晶体管的设计,具体但不排他地涉及半导体功率开关和继 电器。背景技术 传统的电源开关由具有金属化层并且有时具有用于场效应器件的薄氧化物层的 半导体材料的P和N型区域制造。本领域中众所周知的技术如双极结型晶体管(BJT),结型 场效应晶体管(JFET),金属氧化物场效应晶体管(M0SFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT),其 通常切DC电压。而双向可控硅,可控硅整流器(SCR)以及改性的(典型地背对背)版本的 DC开关类型已被用于开关AC...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。