技术编号：9553390
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前金属氧化物薄膜晶体管(M0TFT)因其在纳米晶或非晶态中相对的高迀移率而引起人们的强烈兴趣。另外，在许多应用中，希望在低于某些温度下制备高迀移率TFT，以便可以使用柔性和/或有机衬底。这种TFT中的有源半导体层必须在相对低的温度(如室温)形成/沉积，但是仍然有相对高的迀移率和稳定性。多晶硅不能被用于这样的有源层通过将晶粒的尺寸增加到与沟道长度可比较的水平，可以实现多晶硅TFT中的高迀移率。仅有少量的晶粒存在于沟道区域，由于它的大统计波动导致器件的非均一...
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