技术编号:9553391
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有温度传感器二极管的。背景技术在IGBT (绝缘栅极型双极晶体管)和MOSFET (M0S栅极型场效应晶体管)等半导体装置中,有在半导体芯片上形成温度检测用的二极管(以下称作温度传感器二极管)的τ? 口广PR ο图18是表示现有的温度传感器二极管500的概略结构的图((a)是主要部分平面图,(b)是表示沿着(a)的II1-1II线的截面构造的截面图)。在图18(a)中也示出了电流路径。现有的温度传感器二极管500在形成有MOSFET等半导体元件...
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