技术编号:9560834
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。控制介质碳覆盖(C0C)膜生长的均匀性能影响介质的机械和记录性能。对于介质腐蚀、碳润滑问题和耐久性问题,具有最薄C0C的盘的面积引起最大的风险。由于磁头-介质间隔变化,圆周周围一圈(0AR)碳厚度均匀性影响位错误率(BER)OAR性能。记录子系统性能受到由于介质覆盖不均匀性引起的BER变化的限制。发明内容本文提供了亥姆霍兹线圈辅助PECVD的装置和方法。例如在某些实施例中,装置包括至少两个碳源沉积工具用于发射电子、集成在碳源沉积工具内的至少两个反射极性后钮...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。