技术编号:9560838
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在半导体行业中,随着器件和特征尺寸不断变小,并且随着三维器件结构(例如, 英特尔公司的三栅极晶体管架构)在集成电路(1C)设计中变得越来越普遍,沉积薄的共形 膜(具有与下伏结构的形状相对应的均匀厚度的材料膜,尽管下伏结构不是平坦的)的能 力将继续得到重视。原子层沉积(ALD)是非常适合于沉积共形膜的一种膜形成技术,原因 在于以下事实单个循环ALD仅沉积单一的薄的材料层,其厚度受限于在成膜的化学反应 本身之前可吸附到衬底表面上的一种或多种膜前体反应物的量(...
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