技术编号:9560942
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体市场竞争的日趋激烈,降低能耗、节省成本、提升良率成为技术发展的核心。在现有技术中多晶硅薄膜生长装置,包括石英晶舟,石英晶舟总长度121.45mm,包含50个容置槽,相邻容置槽间距为2.38mm,表面性质光滑。这种晶舟的缺点之一是50个容置槽无法全部排片,会导致气流无法顺利从片与片之间的间隙通过;另一缺点是硅片与晶舟接触部位在工艺过程中会粘结在一起,导致卸片的时候崩边。因此需要针对以上2点问题进行针对性改善。发明内容本发明的目的之一是为了克服现有技术中...
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