技术编号：9564952
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 在集成电路制作工艺当中，许多步骤都必须在高温环境下进行，例如成长氧化层 的热氧化制作工艺等。上述的热处理方法，一般都是将晶片置于晶舟（wafer boat)而送进 炉管反应。 批次炉管制作工艺由于负载效应（loading effect)会导致不同摆放位置的晶片 出现电性或物性上的变异。发明内容 本发明的目的在于提供一种，其可降低多批晶片的 产品之间的特性差异。 为达上述目的，本发明提出一种，包括下列步骤。在 多批（lots)晶片进入炉管之前，算出各批晶片...
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