技术编号:9565624
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。诸如像动态随机存取存储(DRAM)器件之类的半导体存储器件典型地包括多个存储单元、多个字线和多个位线。DRAM存储单元中的每个配置成包括单个单元晶体管和单个单元电容器。多个DRAM存储单元中的每个可以设置在相关联的字线和位线的结合点处。当DRAM器件在读模式下操作时,字线可以选择性地使能以传递储存在DRAM单元的单元电容器中的电荷,DRAM单元电气耦接至选中的字线和相关联的位线上。发明内容半导体器件的一个实施例包括功率控制信号发生器和感测放大器电路。功率控...
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