技术编号：9565762
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。电子制品之体积逐渐变小，因而要求高容量的数据处理。因此，需要提高此种电子制品中所使用的半导体记忆装置之整合度。作为用于提高半导体记忆装置之整合度的方法之一，提出具有竖直晶体管结构之记忆装置来替代原有平面晶体管结构。此种层迭内存涉及使层间绝缘层及牺牲层于多晶硅上交替层迭之制程、在层间绝缘层与牺牲层中形成孔之制程、经由孔来移除牺牲层之制程。其中，移除牺牲层之制程系以湿式蚀刻方法执行，因而效率低，成本高。发明内容本发明旨在提供一种利用电浆处理基板之。另外，本发明...
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