技术编号：9565863
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。使用平面单元晶体管的传统的ROM单元阵列固有地表现为衬底的平面上的巨大的水平封装尺寸，因此在存储单元的按比例缩小方面施加了实际限制。因此，提出了存储单元阵列及其单元结构。发明内容根据本发明的一个方面，提供了一种半导体只读存储器(ROM)单位单元结构，包括单元基底区域，限定出单元边界，单元基底区域包括布置在衬底上的具有宽形块状轮廓的覆盖式0D层，并且覆盖式0D层限定出被布置为与接地端(Vss)选择性连接的连续共用源极节点；漏极焊垫，设置在0D层之上，漏极焊垫...
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