技术编号:9565902
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。通常,用于生产功率半导体器件诸如功率半导体二极管和IGBT (绝缘栅极双极晶体管)的半导体晶片从按悬浮区工艺(floating zone process) (Fz晶片)生长的娃锭获得。按直拉工艺(Czochralski process) (Cz晶片)从恪炉中的恪融原料直拉的娃棒获得的半导体晶片比较廉价并且可以具有更大的直径。然而,在拉晶工艺期间的分凝效应导致掺杂剂浓度沿着硅棒的纵轴发生显著的轴向变化。另外,在从硅棒获得的Cz晶片中,掺杂物质的径向波动(条纹...
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