技术编号：9566004
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种阻变存储单元，具体地涉及一种光写入阻变存储单元，以及该光写入阻变存储单元的制备方法、操作方法及其应用。背景技术阻变存储器(RRAM)利用某些薄膜材料在激励的作用下会出现不同的电阻状态(高、低阻态)的转变现象进行数据存储。RRAM的优势在于结构简单、功耗低、速度快、存储密度高、制造工艺简单，是下一代通用存储器的强有力候选者。阻变存储器大体上分为两种。导电细丝型阻变存储器与界面限制型阻变存储器。阻变存储器的类型取决于薄膜材料以及电极材料的性质。对...
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