技术编号：9568722
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。[000引非晶（非晶质）氧化物半导体具有比通用的非晶娃（a-Si)高的载流子迁移率，光 学带隙较大且能够在低溫下成膜，因此期待将其应用于要求大型/高分辨率/高速驱动的 下一代显示器、耐热性低的树脂基板等。所述载流子迁移率也被称作"场效应迁移率"。W 下，有时将所述载流子迁移率仅称作"迁移率"。 为了具有较高的迁移率，将由铜、嫁、锋W及氧构成的非晶氧化物半导体、或者由 铜、锋、锡W及氧构成的非晶氧化物半导体用作所述氧化物半导体。有时将所述由铜、嫁、锋 W及氧...
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