技术编号：9580602
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前，微电子工艺技术发展的非常快，而其中一个主要的特征尺寸就是沟道长度。在亚微米工艺的集成电路中，往往使用掺杂的多晶硅作为栅极控制部分。这是由于多晶石圭电极与半导体之间的功函数差较小，有利于降低MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应管)的阈值电压。同时，采用掺杂的多晶硅栅来代替常用的铝栅，能够承受比较高的热处理温度，并且还能够作为离子注入时的掩模版，以实现MO...
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