技术编号：9580606
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前使用的肖特基二极管主要制作工艺流程 ①硅片外延参数制定偏薄，一般在(外延厚度4.6-5.1 um电阻率0.84-0.92 Ω.cm) ②初始氧化5000-7000A ③注入剂量5E+14-1.5E+15 ④退火1050-1060°C 此工艺缺点二次击穿比率高30%-100%，肖特基击穿曲线差，在器件使用过程中可靠性差。目前使用的肖特基二极管主要工艺外延厚度薄，注入掺杂浓度低，退火温度低造成结浅，推结不均匀，造成二次击穿比率高，肖特基击穿曲...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。