技术编号:9580614
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着基于硅的半导体设备尺寸的减小,难以在提高性能的同时降低能耗。通过将高性能材料与硅结合,例如可提供较高载流子迁移率和较高驱动电流的II1-V族晶体管沟道,这些混合的半导体能够进一步减小尺寸。目前已在将诸如铟镓砷化物(InGaAs)的II1-V族材料与传统的硅衬底进行结合的混合半导体上进行实验,但受到了各材料间原子晶格不匹配的挑战。已经知道的是,由于在外延生长层和硅衬底之间,晶格常数有巨大的差异,高密度的TD (Threading Dislocat1n,线...
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