技术编号：9580615
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 在大规模集成电路中，为降低源极、漏极和栅极的接触电阻和RC延迟，采用了自 对准娃化物（Self aligned silicide)工艺。自对准技术中，形成金属与半导体（例如娃） 的反应生成物，即金属娃化物。金属娃化物在化SAJLSI器件技术中起着非常重要的作用， 它具有良好的低电阻接触，并且可W用来提供位于金属线和衬底接触区域之间的接触面。 现有晶体管中金属娃化物的形成方法如图1至图4所示。 请参考图1，提供半导体衬底100,半导体衬底100上形成有晶体...
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