技术编号:9580623
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现有技术随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件为了达到更高的运算速度、更大的数据存储量、以及更多的功能,半导体器件朝向更高的元件密度、更高的集成度方向发展。因此,互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)晶体管的栅极变得越来越细且长度变得比以往更短。然而,栅极的尺寸变化会影响半导体器件的电学性能,目前,主要通过控制载流子迁移率来提高半导体器件性能。该技术的一个关键要素是控制晶体管沟道中...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。