技术编号:9580660
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作领域技术,特别涉及一种。背景技术在半导体制造技术中,为了使在半导体衬底上制造的不同的半导体器件之间电隔离,通常在半导体衬底上的不同半导体器件之间形成隔离结构。隔离结构的形成方法包括局部氧化隔离(L0C0S)方法和浅沟槽隔离(STIShallow Trench Isolat1n)方法。浅沟槽隔离方法与其他隔离方法相比有许多优点,主要包括浅沟槽隔离方法可以获得较窄的半导体器件隔离宽度,减少占用半导体衬底的面积同时增加器件的有源区宽度,进而提...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。