技术编号:9580666
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于形成互连的已知工艺包括“镶嵌工艺”(damascene process)。在一般的镶嵌工艺中,使用光刻胶作为掩膜蚀刻电介质层以形成开口,该开口包括通孔和沟槽。然后去除光刻胶,用导电材料填充该开口以便形成用于互连的通孔和迹线。由于器件密度和连线密度的增加、线宽减小,导致阻容(RC)耦合增大,从而使信号传输延时、干扰噪声增强和功耗增大,这给超大规模集成电路的应用带来了挑战。利用金属或金属化合物作为硬掩膜层可有利于形成更小临界尺寸的互连通孔和迹线。同时,在生...
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