技术编号：9580694
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着硅基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(M0SFET)几何尺寸缩小到纳米尺度，传统通过缩小器件尺寸提升性能和集成度的方法正面临物理和技术的双重极限考验。为了进一步提高器件性能，有效方法之一是引入高迀移率沟道材料。由于同时具有较高的电子和空穴迀移率(室温(300K)下，锗沟道的电子迀移率是硅的2.4倍，空穴迀移率是硅的4倍)，锗材料以及锗基器件成为一种选择。但是目前锗基CMOS性能还无法满足高性的要求，主要原因是CMOS中难以同时实现高的电子与空穴迀移率，...
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