技术编号:9580725
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在现有的形成半导体互连结构的工艺一般包括在衬底上形成介质层、刻蚀所述介 质层W形成开口,然后在送些开口中填充金属W形成金属插塞或者互连线,进而形成一层 互连结构。 但是随着半导体器件集成密度的增加,互连结构中的寄生电容、RC延迟的问题变 得愈发明显。现有技术采用具有较低k值的材料来形成所述介质层W减小寄生电容。 但是低k材料的介质层容易导致其他问题,参考图1所示为现有技术中较低k值 材料形成的介质层的结构示意图,送种介质层1中具有孔隙2,但是送种介质层的...
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