技术编号:9580756
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 磁性随机访问存储器(MRAM, Ma即eto resistive Random Access Memory)是可 W 和相变随机访问存储器(Phase化ange RAM)、阻变式随机访问存储器(RRAM)等相竞争的 一种主要的新型非挥发性存储器。磁隧道结(MTJ, Ma即etic化nnel化nction)是MRAM中 的数据存储位置。MRAM的性能可W和SRAM相提并论,例如具有较高的就绪/写入(ready/ write)速度。MRAM的耐久性远胜于闪存...
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