技术编号：9580769
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前用于三极管的外延片的衬底主要有两种，即蓝宝石衬底和碳化硅衬底。但由于碳化硅的价格昂贵，故蓝宝石衬底的使用更为广泛。现有技术中普遍使用的平片状蓝宝石衬底由于其位错密度较高，制成的三极管电子器件漏电流较高、易击穿。发明内容针对上述问题，本发明的目的是提供一种，由其制成的三极管电子器件漏电较低、击穿电压较高、寿命较长。为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为 一种三级管用外延片，包括依次层叠的衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、A1N插入层、...
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