一种vdmos器件的元胞结构及其制作方法技术资料下载

技术编号:9580775

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VDMOS (Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,垂直双扩散金属氧化物半导体)器件,在众多功率半导体器件中,同时具有双极型晶体管和普通M0S器件的优点。与双极型晶体管相比,它的开关速度快,开关损耗小,输入阻抗高,驱动功率小,频率特性好,跨导线性度高,没有双极型功率器件的二次击穿问题,安全工作区大。因此,不论是开关应用还是线性应用,VDM0S器件都是理想的功率半导体器件。对于VDM0S器件而言...
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