技术编号:9580783
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体制作工艺进入到深次微米时代,例如65纳米(nm)以下的制作工艺,对于M0S晶体管元件的驱动电流(drive current)的提升已显得日益重要。为了改善元件的效能,目前业界已发展出所谓的「应变娃(strained-silicon)技术」,其原理主要是使栅极通道部分的硅晶格产生应变,使电荷在通过此应变的栅极通道时的移动力增加,进而达到使M0S晶体管运作更快的目的。在目前已知的技术中,已有使用应变娃(strained silicon)作为基底的M0...
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