/硅纳米线阵列异质结太阳能电池的方法技术资料下载

技术编号:9580816

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[000引平面娃片对入射光具有30%-40%的反射率,较低的光吸收效率降低了 Mo(V平面 娃异质结太阳能电池短路电流密度,进而导致光电转换效率较低。娃纳米线阵列除具有半 导体所具有的特殊性质外,还具有独特的光学、电学和化学性能,在纳米电子器件、光电子 器件W及新能源等方面显示出良好的应用前景。对娃纳米线阵列光吸收谱的测试发现,仅 需几微米厚度的娃纳米线阵列就可W实现高效的光吸收,送说明与现有的晶体娃光伏电池 (厚度> 100微米)相比,娃纳米线阵列...
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