技术编号:9581367
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本领域技术人员熟悉在高端驱动器、低端驱动器或半桥驱动器拓扑中采用NMOS功率晶体管的驱动器电路的设计和实施方式。例如,在高端实施方式中,NMOS功率晶体管 的漏极端子禪合至供给电压节点,并且NMOS功率晶体管的源极端子禪合至所要驱动的输 出节点。NMOS功率晶体管的栅极端子被禪合W接收栅极控制信号,其电压水平对该NOMOS 晶体管被导通或关断的程度进行控制。 许多常见设计要求与驱动器电路的设计相关联,诸如确保NMOS晶体管的最低导 通电阻,栅极控制信号需...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。