技术编号:9583669
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明用于具有弱留存时间的存储器单元的刷新方案相关申请的交叉引用本申请要求于2013年6月24日以Jung Pill Kim等人的名义提交的美国临时专利申请N0.61/838,435的权益,其公开内容通过援引全部明确纳入于此。本公开涉及电子存储器操作并且尤其涉及用于具有弱留存时间的存储器单元的刷新方案。背景半导体存储器设备包括例如静态随机存取存储器(SRAM)以及动态随机存取存储器(DRAM)。DRAM存储器单元一般包括一个晶体管以及一个电容器,这使得能...
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