技术编号:9583718
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术已知一种利用厚切割锯在半导体晶片的背面侧上形成凹槽和利用薄切割锯在半导体晶片的正面侧上形成凹槽以增加能够从单个半导体晶片获得的芯片的数量的方法(专利文献(PTL) I)。此外,已经提出了一种通过化学刻蚀在晶片的正面上形成预定深度的凹槽和通过切割刀片在晶片的背面上形成与正面上的凹槽相对应的凹槽以执行半导体芯片的切割的方法(专利文献2和专利文献3)。引用列表专利文献 JP-A-4-10554JP-A-61_267343美国专利N0.7897...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。