技术编号：9596976
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。众所周知，随着CMOS集成电路的集成度日益变大，越来越多的芯片采用片内电压和电流基准，而不需要增加额外的基准源芯片，可以节省成本。因此，片上的基准电路被广泛应用于诸如模/数转换器、通信、数据采集、传感器等电路中。其中高精度模/数转换器的基准源直接影响转换器本身的性能，需要基准源具有较低的噪声。目前，大多数的片内电压基准源一般由带隙基准(bandgap)产生，其输出电压值是一个基本与温度无关的值。所述的带隙基准源包括运算放大器(OP)、P型MOS管PMl、P...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。