技术编号：9597989
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种SiC材料的三维原子结构模型，具体涉及一种4H-SiC材料8°偏 角三维原子结构模型及其构建方法和应用。背景技术 碳化硅由于其临界场强高、禁带宽度大等特点，成为在大功率、高温、高压等应用 领域广受欢迎的半导体材料。与同类硅器件相比，碳化硅器件的其比导通电阻小两个数量 级，工作频率10倍于硅，辐射耐受量10倍于硅，单个器件可承受的电压可达硅器件的10 倍，芯片功率密度可达硅器件的10倍到30倍，与硅模块比，碳化硅模块的体积重量可减少 80%，...
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